? ? ?据韩国中央日报8月9日报道，中国在存储芯片领域睁开了空袭。在被视为半导体起源地的美国硅谷举行的半导体大会上，中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布，将从明年最先向市场供应32层三维NAND闪存(以下简称NAND)，并果真了自主三维NAND量产手艺。
? ? 中国长江存储外地时间8月7日加入在美国圣克拉拉聚会会议中心举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)，果真了32层三维NAND样品。该公司体现，产品将从今年10月最先举行试投产，明年启动大规模量产。在此之前，长江存储曾在去年果真三维NAND手艺，宣布将在一年后的今年年尾启动量产。中国作为全球最大的存储芯片市场，中国企业宣布“自主生产”给全球存储芯片市场带来了重大攻击。但其时业界普遍以为中国不可能容易乐成实现量产。
? ? 报道称，其时中国没有任何生产存储芯片的基础，长江存储又是一家2016年刚刚建设的新生企业。但现在看来，这家企业似乎要突破人们的预期，建设短短三年后就将向市场推出中国生产的存储芯片。长江存储是中国国营半导体公司清华紫光集团的子公司，获得了中国政府的津贴和税收减免等周全支持。
? ? 业界以为，长江存储的手艺已经生长到64层三维NAND闪存阶段。据相识，该公司正在试产64层三维NAND闪存并向本国IT企业供货。
? ? 具备影象和贮存功效的NAND和DRAM是典范的存储芯片，中国首先将眼光盯向了存储芯片领域行业壁垒相对较低的NAND市场。现在三星电子和SK海力士主要生产第四代64-72层三维NAND闪存，与长江存储妄想明年投产的第二代三维NAND闪存的市场需求差别。在NAND闪存产品中，层数越多，所需要的手艺实力越强。
? ? 韩国海内半导体行业以为，虽然韩国半导体不会连忙受到攻击，但到明年下半年市场也会受到影响。长江存储从果真32层三维NAND闪存手艺到产品投产只用了1年半的时间，凭证这个速率下去，该公司今年年头试产的64层三维NAND完全有望在明年年尾投产。
? ? 韩国业界以为，现在韩国在存储芯片领域的手艺领先中国三至四年。长江存储妄想投产的32层三维NAND闪存是三星电子2014年8月推出的产品。另外，三星早在2016年12月就最先量产64层三维NAND闪存，现在三星电子已经具备96层三维NAND闪存手艺，SK海力士也已经具备72层三维NAND手艺。
? ? 长江存储在本届半导体大会上果真了自主研发的“Xtacking”三维NAND闪存量产手艺。该公司首席执行官(CEO)杨士宁体现“大部分企业产品的数据传输速率都在1Gbps左右，行业最顶级的企业也只有1.4Gbps”，“但我们使用Xtacking手艺，传输速率可以抵达3Gbps”，主张本公司产品的数据传输速率可以比行业最顶级的三星电子快一倍。
? ? 报道称，韩国专家们普遍以为这种手艺很难真正实现。一样平常来说，生产NAND闪存需要1个晶元，但Xtacking手艺需要两个晶元。这就意味着，Xtacking工程比通俗工程泯灭的本钱更高。极东大学半导体装备工程学教授崔才成(音)体现“这种工程需要加入将两个芯片毗连在一起的程序，不但本钱高，还会泯灭更多的时间，很难实现批量生产”。
? ? 韩媒以为无论Xtacking手艺具有多大可信度，中国在NAND闪存上的追赶速率都对韩国形成了威胁。韩国专家们一致以为，韩国若想挣脱中国的追击坚持天下第一的位置，就必需接纳“超大差别”战略。汉阳大学电子复合工程学朴在勤教授体现“在以人工智能(AI)、5G、云手艺等为代表的第四次工业革命时代，高性能和大容量存储芯片的需求将大大增添”，“为了把拥有强盛资源的中国甩在死后，我们必需占领绝敌手艺高地，使其无从追赶”。
? ? 三星电子妄想在京畿道平泽市投资凌驾30万亿韩元制作新的半导体流水线。SK海力士也妄想投资15万亿韩元在京畿道利川市制作半导体工厂。
? ? 最近，三星电子存储器项目闪存开发室长(副总裁)庚界贤(音)体现“我们将扩大V NAND流水线，加速推动新一代存储芯片市场的转变”。
? ? 另外，它们还将强化与中小相助企业和学术界的相助。SK海力士实验了“手艺立异企业”制度，通过建设专门事情团队(TF)向被列为手艺立异企业的中小企业提供研发、制造和采购等支持；三星也在8月8日体现，将把产学相助规模从现在的每年400亿韩元扩大到一年1000亿韩元的水平。
? ? 韩国各大企业都正费全心思拉开在存储芯片领域与中国的差别，同时，韩国政府也最先着手培育相对薄弱的非内存半导体。韩国工业通商资源部部长白云揆7月30日体现“我们将在未来10年投资1.5万亿韩元支持(半导体工业)”。
? ? 为此，韩国在7月31日建设“System Semiconductor设计援助中心”，妄想对非内存半导体的手艺开发、投资招商、市场营销等从创业到生长的所有历程提供周全支持。